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金属スパッタ リング ターゲットは主に電子で使用されると情報産業

金属スパッタ リング ターゲットは主に電子で使用され、集積回路、情報ストレージ、液晶ディスプレイなどの情報産業レーザー メモリ、電子制御機器、等;。ガラス コーティング; のフィールドにも使えます耐摩耗素材、高級装飾用品などにも使用できます。

形状に合わせて長いターゲット、金属スパッタ リング ターゲット正方形ターゲット、ターゲットの形をした、丸いターゲットに分けることができます。

組成は金属、合金ターゲット、セラミック複合ターゲットに分けることができます。

別の用途に応じたセラミック ターゲットの半導体関連、記録媒体セラミック ターゲット、表示セラミック ターゲット、超伝導セラミックス ターゲットと巨大磁気抵抗効果セラミック ターゲットに分かれています

アプリケーション フィールドによるとそれはマイクロ ターゲット、磁気録音先、光ディスク ターゲット、貴金属ターゲット、薄膜抵抗ターゲット、導電性フィルムのターゲットに分かれて、表面修飾ターゲット、ターゲット マスク、装飾的な層他の対象パッケージのターゲット、電極ターゲット ターゲット

スパッタ原理: スパッタ リング ターゲット (陰極) と直交磁場の和算と電界のアノードは、高真空チャンバー内で金属スパッタ リング ターゲットはいっぱい必要な不活性ガス (通常 Ar ガス)ターゲット 250 の磁場を形成するための材料の表面に永久磁石 〜 350 ガウス、高電圧の電界を持つ直交電磁界から成る。電界の作用の下で陽イオンと電子に Ar ガスがイオン化され、ある特定の否定的な高圧力でターゲットが追加されます、ターゲットから放出される電子が磁場と、切り開いてイオン化確率を受けますng ガス増加、体、ターゲット サーフェス、ターゲット サーフェスの高速衝突で金属スパッタ リング ターゲットへの飛行を加速するローレンツ力の役割に Ar イオンの陰極近傍の高密度プラズマを形成して、スパッタリングターゲット原子の基板が堆積し、堆積したターゲット飛ぶから高い運動エネルギーと勢い変換の原則に従います。一般的に 2 種類に分け、マグネトロンスパッタ リング: 支流スパッタリングや RF スパッタリング、スパッタリング装置の支流は金属のスパッタリングの単純な場合、その速度は高速でも。RF スパッタリング法の使用は、酸化物、窒化物、炭化物、他の化合物の反応性スパッタ準備科中、スパッタリングの導電性材料に加えてより広範なまたスパッタの非導べ電性材料です。RF 周波数がマイクロ波プラズマ スパッタリングになったら増加、一般金属スパッタ リング ターゲットが電子サイクロトロン共鳴 (ECR) 型マイクロ波プラズマはスパッタリングを使用しました。